12 月 15 日消息，芯片制造的核心設(shè)備則是光刻機(jī)。光刻機(jī)通過發(fā)光將光掩膜上的圖形投射在硅片上，制作成芯片。隨著芯片精密程度越來越高，光刻機(jī)在硅晶圓上制造出半導(dǎo)體芯片的前道工藝之后，為保護(hù)芯片不受外部環(huán)境的影響，還需要先進(jìn)的封裝工藝，這一階段被稱為后道工藝。

在后道工藝中，高密度的先進(jìn)封裝不僅對(duì)精細(xì)布線要求高，而且還需要通過多個(gè)半導(dǎo)體芯片緊密相連的 2.5D 技術(shù)及半導(dǎo)體芯片層疊的 3D 技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。

為此，佳能將于 2023 年 1 月上旬發(fā)售半導(dǎo)體光刻機(jī)新產(chǎn)品 ——i 線步進(jìn)式光刻機(jī)“FPA-5520iV LF2 Option”，通過半導(dǎo)體芯片層疊而實(shí)現(xiàn)高性能的 3D 技術(shù)，滿足客戶多樣化、高性能需求的同時(shí)，助力客戶降本增效。

為了減少投射光學(xué)系統(tǒng)的像差，新產(chǎn)品首次將應(yīng)用于前道工藝光刻機(jī)的校正非球面玻璃搭載在后道工藝的光刻機(jī)上。與以往機(jī)型“FPA-5520iV LF Option”相比，新產(chǎn)品的像差可控制至四分之一以下，更平順地實(shí)現(xiàn) shot 間的拼接。

同時(shí)新產(chǎn)品對(duì)均質(zhì)器進(jìn)行改良，能夠提升照明光學(xué)系統(tǒng)的照度均一性，實(shí)現(xiàn) 52×68 mm 大視場(chǎng)中 0.8μm(微米)的超高解像力。此外，新產(chǎn)品能夠通過四個(gè) shot 的拼接曝光，實(shí)現(xiàn) 100×100mm 以上的超大視場(chǎng)，從而實(shí)現(xiàn) 2.5D 和 3D 技術(shù)相結(jié)合的超大型高密度布線封裝的量產(chǎn)，進(jìn)一步推動(dòng) 3D 封裝技術(shù)的發(fā)展。

IT之家了解到，新產(chǎn)品繼承了半導(dǎo)體光刻機(jī)“FPA-5520iV”的多項(xiàng)基本性能。例如可以靈活應(yīng)對(duì)再構(gòu)成基板翹曲等在封裝工藝中對(duì)量產(chǎn)造成阻礙的問題，以及在芯片排列偏差較大的再構(gòu)成基板上測(cè)出 Alignment mark，從而提高生產(chǎn)效率。

● 新產(chǎn)品繼承了“FPA-5520iV”中實(shí)現(xiàn)的基本性能。

● 新產(chǎn)品搭載了應(yīng)對(duì)較大翹曲問題的基板搬運(yùn)系統(tǒng)，可靈活應(yīng)對(duì)目前應(yīng)用于移動(dòng)終端封裝的主流技術(shù) ——FOWLP※6中存在的再構(gòu)成基板出現(xiàn)較大翹曲的問題，這一問題也是實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的阻礙。

● 新產(chǎn)品搭載了大視野 Alignment scope，針對(duì)芯片排列偏差較大的再構(gòu)成基板，也可以測(cè)出 Alignment mark。

● 新產(chǎn)品可適用于以芯片為單位進(jìn)行定位并曝光的 Die by Die Alignment 技術(shù)。

什么是半導(dǎo)體制造的后道工藝

在半導(dǎo)體芯片的制造工藝中，半導(dǎo)體光刻機(jī)負(fù)責(zé)“曝光”電路圖案。在曝光的一系列工藝中，在硅晶圓上制造出半導(dǎo)體芯片的工藝稱為前道工藝。另一方面，保護(hù)精密的半導(dǎo)體芯片不受外部環(huán)境的影響，并在安裝時(shí)實(shí)現(xiàn)與外部的電氣連接的封裝工藝稱為后道工藝。

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