5 月 30 日消息，海力士宣布已經完成了1bnm 的開發(fā)，這是 10 納米工藝技術的第五代，并對針對英特爾至強處理器的 DDR5 產品的內存程序進行驗證。

海力士的 DRAM 開發(fā)主管 Jonghwan Kim 說，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產品所采用。

英特爾內存和 IO 技術副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內存在英特爾至強可擴展平臺上的兼容性;海力士 1bnm 是其中第一個針對下一代英特爾至強可擴展平臺和英特爾數據中心認證內存程序的一代產品。

‎與此同時，海力士還表示，應用于下一代英特爾至強可擴展平臺的1anm DDR5(其中第一個兼容性測試已經完成)也正在進行中。

IT之家附海力士發(fā)展與 DDR5 產品的歷史：

2020 年 10 月推出 DDR5

2021 年 12 月首批 24 Gb DDR5 樣品出貨

2023 年 1 月獲得 1anm DDR5 的英特爾服務器驗證

2023 年 4 月向英特爾提供服務器 1bnm DDR5 樣品

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