3 月 30 日消息，英特爾于今日公布了2023-2025 年 Xeon 至強(qiáng) CPU 路線(xiàn)圖，并簡(jiǎn)單介紹了之后的產(chǎn)品數(shù)據(jù)。
英特爾宣布，將把至強(qiáng)系列分為P-Core 和 E-Core 兩個(gè)系列，前者就是之前的至強(qiáng)系列，后者是新增加的節(jié)能架構(gòu)，將提供更好的電源效率。
IT之家匯總，2023-2025 年 Xeon 至強(qiáng) CPU 路線(xiàn)圖包括：
2023 年底的 Emerald Rapids(P-Core);
2024 年上半年的Sierra Forest(E-Core)，以及之后發(fā)布的 Granite Rapids(P-Core);
2025 年的 Clearwater Forest(E-Core)。
2023 年P(guān)-Core 產(chǎn)品
英特爾第 4 代 Sapphire Rapids CPU 系列的后續(xù)產(chǎn)品 —— 第 5 代至強(qiáng)系列代號(hào)為 Emerald Rapids。Emerald Rapids-SP CPU 仍是傳統(tǒng)的P-Core 系列，目前已經(jīng)開(kāi)始提供樣品，并按計(jì)劃于 2023 年第四季度交付。
Emerald Rapids-SP 系列的改進(jìn)，包括提高能效、提供更高的核心密度。第 5 代 Emerald Rapids 將與現(xiàn)有的第 4 代 Eagle Stream 平臺(tái)完全兼容，可以輕松從上一代平臺(tái)遷移。
Emerald Rapids 預(yù)計(jì)將使用 Raptor Cove 核心架構(gòu)，這是 Golden Cove 核心的改進(jìn)版本，將比 Golden Cove 核心提供 5-10% 的 IPC 改進(jìn)。它還將包含多達(dá) 64 個(gè)內(nèi)核和 128 個(gè)線(xiàn)程，與上一代 Sapphire Rapids 芯片的 56 個(gè)內(nèi)核和 112 個(gè)線(xiàn)程相比有小幅提升。
據(jù)爆料人@SkyJuice 放出的圖片，第 5 代至強(qiáng)Emerald Rapids 的 XCC 曝光，將包括兩個(gè)基于 Intel 7 工藝的 die，每個(gè)大約770mm²。
2024 年P(guān)-Core 產(chǎn)品
2024 年的 Granite Rapids-SP CPU 將采用基于Intel 3 工藝的最新 x86 CPU 架構(gòu)，預(yù)計(jì)稱(chēng)為 Redwood Cove 核心，可能會(huì)超過(guò) 100 個(gè)內(nèi)核。
Granite Rapids-SP 至強(qiáng)處理器將支持 Mountain Stream 和 Birch Stream 平臺(tái)，進(jìn)一步提高核心密度、內(nèi)存和 I / O，例如支持 DDR5-8800 MCR RDIMM。新內(nèi)存將提高 83% 的峰值帶寬，并為平臺(tái)提供高達(dá) 1.5 TB / s 的帶寬。英特爾還展示了早期 Granite Rapids-SP 芯片的演示，該芯片在雙插槽平臺(tái) (2S) 上運(yùn)行 DDR5-8000 MT / s 內(nèi)存，結(jié)果顯示運(yùn)行良好：
全新E-Core 產(chǎn)品
英特爾至強(qiáng) E-Core 系列首代產(chǎn)品 —— Sierra Forest 將計(jì)劃于 2024 年上半年交付。該 CPU 將包含多達(dá) 144 個(gè)基于 Intel 3 工藝的內(nèi)核，并為云優(yōu)化工作負(fù)載構(gòu)建。
搭載 144 個(gè)內(nèi)核的英特爾 Sierra Forest CPU 預(yù)計(jì)將與 AMD 的 EPYC Bergamo 128 核 CPU 競(jìng)爭(zhēng)。英特爾展示了 Sierra Forest CPU 的演示，該芯片在 144 個(gè)內(nèi)核上都以 100% 的運(yùn)行狀況運(yùn)行，如下所示：
最后，英特爾展望了名為 Clearwater Forest 的第二代 E-Core 至強(qiáng)處理器，該系列計(jì)劃于 2025 年推出，并將采用英特爾 18A 工藝節(jié)點(diǎn)，提供更多的核心數(shù)。英特爾 18A 工藝節(jié)點(diǎn)將對(duì) RibbonFET 架構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，號(hào)稱(chēng)可以實(shí)現(xiàn)晶體管和芯片性能的又一次重大飛躍。
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